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多晶硅氢还原炉

上一篇 / 下一篇  2008-04-28 16:03:23 / 个人分类:多晶硅

申请号/专利号: 200410021979
本发明是一种多晶硅氢还原炉,由炉体、底板和上部的封头构成,封头上有冷却水腔、冷却出水口和启动装置法兰,炉体上有冷却水腔和冷却水进口,底板上有电极、进气口和排气口,炉体与底板之间用法兰连接,其特征在于本发明在氢还原炉内壁上附着了一层光滑的银质材料,利用银的化学特性,使其参与多晶硅棒的生长,不仅可大大提高多晶硅的纯度,并且大大降低了氢还原炉的能耗。
申请日:2004年03月08日
公开日:2005年01月05日
授权公告日:
申请人/专利权人:成都蜀菱贸易发展有限公司
申请人地址:四川省成都市西御街8号西御大厦A座21楼
发明设计人:王姗
专利代理机构:
代理人:
专利类型:发明专利
分类号:C01B33/023
  点此查看跟该专利相关的主附图\公开说明书\授权说明书


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